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半导体C-V特性分析仪,频率:1kHz~2MHz,栅极电压(VGS):±40V,漏极电压(VDS):±200V;标配2通道,可扩展至6通道;二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试;四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg)同屏一键测量及显示。
半导体C-V特性分析仪,频率:1kHz~2MHz,栅极电压(VGS):±1500V,漏极电压(VDS):±200V;标配2通道,可扩展至6通道;二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试;四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg)同屏一键测量及显示。
半导体C-V特性分析仪,频率:1kHz~2MHz,栅极电压(VGS):±3000V,漏极电压(VDS):±200V;单通道;二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试;四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg)同屏一键测量及显示。